US6K2TR

Rohm Semiconductor

US6K2TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

Aktiv6-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.4A, 10V
Basis-TeilenummerUS6K2
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds70pF @ 10V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A
Power - Max1W

Mechanisch

Package / Case6-SMD, Flat Leads
Hersteller-GehäuseTUMT6

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)