TT8U2TR

Rohm Semiconductor

TT8U2TR

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST

Abgekündigt8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 2.4A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.4A (Ta)
Max. Verlustleistung1.25W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-Gehäuse8-TSST

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)