TT8K11TCR

Rohm Semiconductor

TT8K11TCR

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST

Abgekündigt8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs71mOhm @ 3A, 10V
Basis-TeilenummerTT8K11
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140pF @ 10V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1A

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-Gehäuse8-TSST

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)