SP8M4TB

Rohm Semiconductor

SP8M4TB

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 30V 9A/7A 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Basis-TeilenummerSP8M4
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1190pF @ 10V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A, 7A
Power - Max2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C