SP8M3HZGTB

Rohm Semiconductor

SP8M3HZGTB

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Basis-TeilenummerSP8M3
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 10V, 850pF @ 10V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 4.5A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)