SP8K52HZGTB

Rohm Semiconductor

SP8K52HZGTB

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 3A, 10V
Basis-TeilenummerSP8K52
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds610pF @ 25V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)