SH8M70TB1

Rohm Semiconductor

SH8M70TB1

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Basis-TeilenummerSH8M70
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 25V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A, 2.5A
Power - Max2W

Mechanisch

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)