SH8M24TB1

Rohm Semiconductor

SH8M24TB1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 4.5A, 10V
Basis-TeilenummerSH8M24
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds550pF @ 10V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A, 3.5A
Power - Max2W

Mechanisch

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)