SH8KB6TB1

Rohm Semiconductor

SH8KB6TB1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Basis-TeilenummerSH8KB6
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds530pF @ 20V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)