SH8K26GZ0TB

Rohm Semiconductor

SH8K26GZ0TB

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP

Abgekündigt8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 6A, 10V
Basis-TeilenummerSH8K26
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds280pF @ 10V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)