SCT3160KW7TL

Rohm Semiconductor

SCT3160KW7TL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7

AktivTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs208mOhm @ 5A, 18V
Basis-TeilenummerSCT3160
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds398 pF @ 800 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Max. Verlustleistung100W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Hersteller-GehäuseTO-263-7

Umwelt

Betriebstemperatur175°C(TJ)