SCT3120AW7TL

Rohm Semiconductor

SCT3120AW7TL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SICFET N-CH 650V 21A TO263-7

AktivTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs156mOhm @ 6.7A, 18V
Basis-TeilenummerSCT3120
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460 pF @ 500 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 3.33mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
Max. Verlustleistung100W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Hersteller-GehäuseTO-263-7

Umwelt

Betriebstemperatur175°C(TJ)