SCT3040KW7TL

Rohm Semiconductor

SCT3040KW7TL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7

AktivTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 20A, 18V
Basis-TeilenummerSCT3040
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1337 pF @ 800 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 10mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C56A (Tc)
Max. Verlustleistung267W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Hersteller-GehäuseTO-263-7

Umwelt

Betriebstemperatur175°C (TJ)