SCT2H12NYTB

Name: SCT2H12NYTB
Brand: Rohm Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

SICFET N-CH 1700V 4A TO268

AktivTO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AAAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	184 pF @ 800 V
Hersteller	Rohm Semiconductor
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 410µA

Drain-Source-Spannung	1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Max. Verlustleistung	44W (Tc)

Package / Case	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Hersteller-Gehäuse	TO-268

Betriebstemperatur	175°C (TJ)