SCS308AHGC9

Rohm Semiconductor

SCS308AHGC9

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP

AbgekündigtTO-220-2Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerSCS308
Capacitance @ Vr, F400pF @ 1V, 1MHz
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusLast Time Buy
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-2
Hersteller-GehäuseTO-220ACP

Umwelt

Operating Temperature - Junction175°C (Max)