RX3G07CGNC16

Rohm Semiconductor

RX3G07CGNC16

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 70A, 10V
Basis-TeilenummerRX3G07
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2410 pF @ 20 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 500µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
Max. Verlustleistung78W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)