RW4E075AJTCL1

Rohm Semiconductor

RW4E075AJTCL1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0

Aktiv6-PowerUFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 7.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds720 pF @ 15 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 2mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUFDFN
Hersteller-GehäuseDFN1616-7T

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)