RW4E065GNTCL1

Rohm Semiconductor

RW4E065GNTCL1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER

Aktiv6-PowerUFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 6.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds260 pF @ 15 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

Package / Case6-PowerUFDFN
Hersteller-GehäuseDFN1616-7T

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)