RW1E014SNT2R

Rohm Semiconductor

RW1E014SNT2R

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Obsolet6-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds70 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta)
Max. Verlustleistung400mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse6-WEMT

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)