RV8L002SNHZGG2CR

Rohm Semiconductor

RV8L002SNHZGG2CR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W

Aktiv3-XFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Basis-TeilenummerRV8L002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 25 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta)
Max. Verlustleistung1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Hersteller-GehäuseDFN1010-3W

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)