RV8C010UNHZGG2CR

Rohm Semiconductor

RV8C010UNHZGG2CR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W

Aktiv3-XFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs470mOhm @ 500mA, 4.5V
Basis-TeilenummerRV8C010
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Max. Verlustleistung1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Hersteller-GehäuseDFN1010-3W

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)