RV4E031RPTCR1

Rohm Semiconductor

RV4E031RPTCR1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6

Aktiv6-PowerWFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 3.1A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101