RV4E031RPHZGTCR1

Name: RV4E031RPHZGTCR1
Brand: Rohm Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

Aktiv6-PowerWFDFNAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 3.1A, 10V
Basis-Teilenummer	RV4E031
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	460 pF @ 10 V
Hersteller	Rohm Semiconductor
Montageart	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Active
Serie	Automotive, AEC-Q101
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

Drain-Source-Spannung	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.1A (Ta)
Max. Verlustleistung	1.5W (Ta)

Betriebstemperatur	-55°C~150°C(TJ)