RV2C014BCT2CL

Rohm Semiconductor

RV2C014BCT2CL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3

Aktiv3-XFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerRV2C014
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C700mA (Ta)
Max. Verlustleistung400mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Hersteller-GehäuseDFN1006-3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)