RV2C010UNT2L

Rohm Semiconductor

RV2C010UNT2L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3

AktivSC-101, SOT-883Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs470mOhm @ 500mA, 4.5V
Basis-TeilenummerRV2C010
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Max. Verlustleistung400mW (Ta)

Mechanisch

Package / CaseSC-101, SOT-883
Hersteller-GehäuseVML1006

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)