RV1C002UNT2CL

Rohm Semiconductor

RV1C002UNT2CL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806

Aktiv3-SMD, No LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 150mA, 4.5V
Basis-TeilenummerRV1C002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150mA (Ta)
Max. Verlustleistung100mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-SMD, No Lead
Hersteller-GehäuseVML0806

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)