RV1C001ZPT2L

Rohm Semiconductor

RV1C001ZPT2L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806

Abgekündigt3-SMD, No LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Basis-TeilenummerRV1C001
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
Max. Verlustleistung100mW (Ta)

Mechanisch

Package / Case3-SMD, No Lead
Hersteller-GehäuseVML0806

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)