RUU002N05T106

Rohm Semiconductor

RUU002N05T106

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3

AbgekündigtSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Basis-TeilenummerRUU002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Max. Verlustleistung200mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseUMT3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)