RU1C002ZPTCL

Rohm Semiconductor

RU1C002ZPTCL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F

AktivSC-85Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds115 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Max. Verlustleistung150mW (Ta)

Mechanisch

Package / CaseSC-85
Hersteller-GehäuseUMT3F

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)