RU1C001UNTCL

Rohm Semiconductor

RU1C001UNTCL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F

AktivSC-85Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Basis-TeilenummerRU1C001
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7.1 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
Max. Verlustleistung150mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-85
Hersteller-GehäuseUMT3F

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)