RTQ035N03HZGTR

Rohm Semiconductor

RTQ035N03HZGTR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs54mOhm @ 3.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds285 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Max. Verlustleistung950mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101