RTF025N03FRATL

Rohm Semiconductor

RTF025N03FRATL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3

Aktiv3-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
Max. Verlustleistung800mW (Ta)

Mechanisch

Hersteller-GehäuseTUMT3

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur150°C
QualificationAEC-Q101