RTF016N05FRATL

Rohm Semiconductor

RTF016N05FRATL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3

Aktiv3-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 1.6A, 4.5V
Basis-TeilenummerRTF016
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung45 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
Max. Verlustleistung800mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-SMD, Flat Leads
Hersteller-GehäuseTUMT3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C