RSR020P05FRATL

Rohm Semiconductor

RSR020P05FRATL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3

AbgekündigtSC-96Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 2A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Max. Verlustleistung540mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-96
Hersteller-GehäuseTSMT3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)