RSQ035N06HZGTR

Rohm Semiconductor

RSQ035N06HZGTR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Tc)
Max. Verlustleistung950mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101