RSM002P03T2L

Rohm Semiconductor

RSM002P03T2L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

AktivSOT-723Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 200mA, 10V
Basis-TeilenummerRSM002
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Max. Verlustleistung150mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-723
Hersteller-GehäuseVMT3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)