RS3E095BNGZETB

Name: RS3E095BNGZETB
Brand: Rohm Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.6mOhm @ 9.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	680 pF @ 15 V
Hersteller	Rohm Semiconductor
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

Drain-Source-Spannung	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.5A (Ta)
Max. Verlustleistung	2W (Tc)

Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse	8-SOP

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)