RS1G201ATTB1

Name: RS1G201ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2mOhm @ 20A, 10V
Basis-Teilenummer	RS1G
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6890 pF @ 20 V
Hersteller	Rohm Semiconductor
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

Drain-Source-Spannung	40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Ta), 78A (Tc)
Max. Verlustleistung	3W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur	-55°C~150°C(TJ)