RS1G120MNTB

Rohm Semiconductor

RS1G120MNTB

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.2mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 20 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
Max. Verlustleistung3W (Ta), 25W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-HSOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)