RS1E281BNTB1

Rohm Semiconductor

RS1E281BNTB1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 28A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5100 pF @ 15 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Ta), 80A (Tc)
Max. Verlustleistung3W (Ta)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-HSOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)