RR1VWM6STR

Rohm Semiconductor

RR1VWM6STR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 600V 1A PMDE

Abgekündigt2-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRR1VWM6
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case2-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäusePMDE

Umwelt

Operating Temperature - Junction175°C (Max)