RQ6E030ATTCR

Name: RQ6E030ATTCR
Brand: Rohm Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	91mOhm @ 3A, 10V
Basis-Teilenummer	RQ6E030
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	240 pF @ 15 V
Hersteller	Rohm Semiconductor
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

Drain-Source-Spannung	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)

Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse	TSMT6 (SC-95)