RQ3L090GNTB

Rohm Semiconductor

RQ3L090GNTB

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT

Abgekündigt8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.9mOhm @ 9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1260 pF @ 30 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 300µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta), 30A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-HSMT (3.2x3)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)