RP1A090ZPTR

Rohm Semiconductor

RP1A090ZPTR

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 9A MPT6

Obsolet6-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 9A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7400 pF @ 6 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, Flat Leads
Hersteller-GehäuseMPT6

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)