RK7002BMT116

Rohm Semiconductor

RK7002BMT116

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 250MA SST3

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Basis-TeilenummerRK7002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 25 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta)
Max. Verlustleistung200mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSST3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)