RJK005N03T146

Rohm Semiconductor

RJK005N03T146

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3

AbgekündigtTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs580mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Max. Verlustleistung200mW (Ta)

Mechanisch

Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSMT3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)