RGWX5TS65EHRC11

Rohm Semiconductor

RGWX5TS65EHRC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRGWX5TS65
Gate Charge213 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)100 ns
Td (on/off) @ 25°C59ns/243ns
Test Condition400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 75A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)132 A
Current - Collector Pulsed (Icm)300 A
Power - Max348 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)