RGWSX2TS65DGC13

Rohm Semiconductor

RGWSX2TS65DGC13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge140 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)88 ns
Switching Energy1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C55ns/180ns
Test Condition400V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)104 A
Current - Collector Pulsed (Icm)180 A
Power - Max288 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247G

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)