RGWS80TS65GC13

Rohm Semiconductor

RGWS80TS65GC13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 71A TO247G

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRGWS80
Gate Charge83 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy700µJ (on), 660µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C40ns/114ns
Test Condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)71 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max202 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247G

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)