RGWS60TS65GC13

Rohm Semiconductor

RGWS60TS65GC13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRGWS60
Gate Charge58 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy500µJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C32ns/91ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)51 A
Current - Collector Pulsed (Icm)90 A
Power - Max156 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247G

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)